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Traducción de «Circuito negativo en MOS » (Español → Inglés) :

TERMINOLOGÍA

canal de semiconductor de óxido metálico [ semiconductor de óxido metálico de n canales | MOS de canal N | MOS de canal n | circuito negativo en MOS ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

N-channel metal-oxide semiconductor [ N-channel MOS circuit | n-channel MOS | N-channel MOS ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

circuitos de estructura MOS estáticos

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

static MOS circuits

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

circuito lógico dinámico MOS

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

dynamic MOS logic circuit | MOS dynamic logic circuit

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

c.i. híbrido MOS/bipolar | circuito integrado de transistores MOS/bipolar

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

hybrid MOS-bipolar i.c. | MOS-bipolar transistor integrated circuit

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Para mantener un cierre avanzado del circuito de agua en plantas de procesamiento de papel a partir de papel para reciclar y con el fin de evitar los posibles efectos negativos del incremento del reciclado del agua del proceso, la MTD es utilizar una o varias de las técnicas descritas a continuación.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

In order to maintain advanced water circuit closure in mills processing paper for recycling and to avoid possible negative effects from the increased recycling of process water, BAT is to use one or a combination of the techniques given below.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2013-12-31]

El producto objeto de reconsideración son determinados circuitos integrados electrónicos conocidos como DRAM (Dynamic Random Access Memories, o memorias dinámicas de acceso aleatorio) fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico con semiconductores de óxido metálico llamado MOS, incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS), de todos los tipos, densidades, variedades, velocidad de acceso, configuración, embalaje o soporte, etc., originarios de la República de Corea («el producto afectado»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

Otros han buscado : mos de canal c i híbrido mos bipolar canal de semiconductor de óxido metálico circuito integrado de transistores mos bipolar circuito lógico dinámico mos circuito negativo en mos circuitos de estructura mos estáticos Circuito negativo en MOS

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Date index: 2021-12-24