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Traducción de «canal de semiconductor de óxido metálico » (Español → Inglés) :

TERMINOLOGÍA

canal de semiconductor de óxido metálico [ semiconductor de óxido metálico de n canales | MOS de canal N | MOS de canal n | circuito negativo en MOS ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

N-channel metal-oxide semiconductor [ N-channel MOS circuit | n-channel MOS | N-channel MOS ]

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http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

canal positivo de semiconductores de óxido metálico [ circuito positivo de semiconductores de óxido metálico | circuito positivo de semiconductor de óxido metálico ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

PMOS transistor [ p-channel transistor | P-channel MOS | p-channel MOS transistor ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

metal-óxido-semiconducteur [ MOS | metal óxido semiconductor | semiconductor de óxido metálico | semiconductor metal-óxido ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

metal-oxide semiconductor [ MOS | metal oxide semiconductor | metal-oxide-semiconductor ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

semiconductor de óxido metálico | semiconductor metal óxido

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

metal oxide semiconductor | MOS [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

Transistor de efecto de campo de material semiconductor de óxido metálico | transistor de efecto de campo en tecnología MOS

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

field effect transistor of MOS technology | metal oxide semiconductor field-effect transistor | Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | MOSFET [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

transistor de efecto de campo de material semiconductor de óxido metálico | MOSFET [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

metal oxide semiconductor field-effect transistor | MOSFET [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

El alternador del solicitante tiene más eficiencia que el alternador de referencia porque reduce las tres pérdidas siguientes: las pérdidas de rectificación, al optimizar la rectificación mediante el uso de un módulo de MOSFET, es decir, de un transistor de efecto de campo de material semiconductor de óxido metálico; las pérdidas en el hierro del estátor, al utilizar un núcleo laminado fino hecho de acero magnético, y las pérdidas en el cobre del estátor, al utilizar un conductor de segmentos, que tiene un mayor factor de espaciamiento y un extremo de bobina más corto.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

The Applicant's alternator has an increased efficiency compared to the baseline alternator by reducing the following three losses: rectification losses by optimising the rectification by the use of a ‘MOSFET module’, i.e. by a use of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor; stator iron losses by the use of thin laminated core made by magnetic steel, and stator copper losses by the use of a ‘segment conductor’, which has higher space factor and shorter coil end.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2013-12-31]

con un único dispositivo de transferencia de carga (CCD) o un sensor de semiconductores de óxido metálico complementario (CMOS),

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

with a single Charge-Couple-Device (CCD) or Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS) sensor,

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2013-12-31]

[12] La tecnología CMOS (semiconductor de óxido metálico complementario) es la estándar para los circuitos integrados en la vía «más Moore».

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2012-12-31]

[12] Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) is the standard technology for integrated circuits in the "more Moore" track

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2012-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2012-12-31]

El producto considerado y el producto similar son los mismos que en la investigación inicial, a saber, determinados microcircuitos electrónicos conocidos como DRAM (memorias dinámicas de acceso aleatorio) de todos los tipos, densidades y variedades, ensamblados o no, tanto en forma de disco como de pastilla, fabricados utilizando variaciones de la tecnología del proceso para crear semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, MOS), incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS), de todas las densidades (incluidas densidades que todavía no existen) independient ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

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El producto objeto de reconsideración son determinados circuitos integrados electrónicos conocidos como DRAM (Dynamic Random Access Memories, o memorias dinámicas de acceso aleatorio) fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico con semiconductores de óxido metálico llamado MOS, incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS), de todos los tipos, densidades, variedades, velocidad de acceso, configuración, embalaje o soporte, etc., originarios de la República de Corea («el producto afectado»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

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Date index: 2023-03-26